Veröffenlichung: Oxid-Zuverlässigkeit von Grabenstruktur-Si-IGBTs mit Gate-Vorspannung bestrahlt mit Protonen und Neutronen

Cosmische Strahlentests werden in der Regel durchgeführt, indem die Gate-Elektrode auf den Emitterboden kurzgeschlossen wird, wodurch ein elektrisches Feld von null über das Gate-Dielektrikum-Oxid erzeugt wird. In realen Anwendungen wird das Gate jedoch normalerweise auf +/-15 V relativ zum Emitter aufgeladen, was zu einer Feldstärke von über 100 kV/mm führt. Diese Arbeit zielt darauf ab, den Einfluss einer auf das Gate angelegten Spannung auf die Ausfallrate über die Zeit (FIT) von Trench-Si-IGBTs zu testen, die mit Protonen und Neutronen bestrahlt wurden, und realistischere Testbedingungen nahe der Anwendung bereitzustellen. Darüber hinaus werden HTGB-Tests an den überlebenden Bauelementen durchgeführt, um neue Erkenntnisse zu liefern.